一、合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI抛光性能

1、合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI抛光前后总厚度偏差变化量（ΔTTV）：|ΔTTV|≤2μm。

2、合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI抛光后面型增量（ΔPV）：|ΔPV|≤2μm，可通过激光干涉仪测试。

3、白光轮廓仪测试表面粗糙度，测试视场232×174μm时，初始Ra≤1nm，合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI抛光后Ra≤1nm；测试视场64×48μm时，表面粗糙度增量|ΔRa|≤0.1nm。

4、合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI抛光后表面状态，无新增缺陷；显微镜偏光-微分干涉模式观察，表面无新增缺陷，例如划伤、亮点、氧化擦伤、斑块等；暗场模式下观察，表面无新增缺陷，例如氧化、黑点、起雾状等。

5、合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI抛光后表面颗粒度：显微镜暗场模式下平均测试9点，表面颗粒度≤10/cm2。

6、合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI抛光后表面无裂纹、裂片等物理损伤。

二、合美半导体（北京）纯化学抛光机HSM-CPI规格参数

1、驱动系统：抛光盘运行通过主驱动系统控制，转速可通过程序控制调节；

2、机身材料：千级（或以上）洁净室使用环境，全工艺过程中不产尘、不引入其他杂质与污染；设备由防腐蚀材料构成，整机防腐，适用于腐蚀性抛光溶剂，如溴甲醇、酸碱等腐蚀剂；

3、进料系统：为实现化学抛光等各种复合工艺，设备支持双通道进料系统，可单独/同时工作，进料速率可实现数字化控制。供液流量控制范围：0~10ml/s；

4、抛光盘：转速连续可调：0~100rpm；抛光盘的更换、维护快速而简便，嵌入式盘；

5、具有定时功能：可设定抛光时间，到达后停止工艺，设定时间0~60min，连续可调；

6、具有操作面板和控制器：可集成转速、流速等工艺参数的数控显示与控制；

7、设计有出液口，用于废液的导出，使得整个工艺过程变得简单快洁；

8、具有可连续的供液系统≥2，可在抛光工艺过程中补充抛光液；

9、废液回收系统：设备具有废液回收系统，可安全回收工艺废液；

10、结构：一体式可拆卸结构，采用行星环绕运动方式；设备台面具有可拆卸性，便于抛光垫更换与零部件的维修；设备运行偏心距离为5mm（即齿轮圆心与玻璃衬底圆心之间距离为5mm）；

11、设备电源：220-240V；10A；50-60HZ；

12、设备功耗：3KW;

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