1063WAFERMILL™离子光束延迟解决方案

离子束制备

延迟器从上到下的全晶片上多个预选区域。整个过程都是完全自动化的；无需手动触摸晶圆。晶圆溶液支持计量学，包括CD-SEM样品制备。

MODEL 1063 WaferMill™ 离子束分层解决方案

从顶部开始对完整晶圆上的多个预选区域进行分层。全自动工艺支持半导体处理的所有阶段，适用于CD-SEM（关键尺寸扫描电子显微镜）样品制备。

Model 1063 WaferMill™ 离子束分层解决方案 规格说明

应用

近线和在线设备前端模块（EFEM）

设备前端模块（EFEM）

由Brooks Automation制造，包括以下组件：

300 mm前开式统一盒（FOUP）加载站，可容纳最多25片晶圆

配备被动末端执行器的四轴晶圆搬运机器人

预对准器，根据CD-SEM要求定位晶圆缺口

控制器单元

预抽真空室

300 mm VAT阀门接口，连接EFEM和负载锁

双波长紫外（UV）灯（253.7 nm 和 184.9 nm）安装在预抽真空室内

负载锁

300 mm VAT阀门接口，连接预抽真空室和工艺腔室

晶圆存在传感器指示晶圆是否在负载锁内

真空系统

两个专用涡轮分子泵：一个在预抽真空室，一个在工艺腔室

无油隔膜泵用于支持涡轮分子泵

配备真空计的压力监测

气动供应

负载锁和研磨腔室：

工艺气体：纯度99.999%的惰性气体（氩气）；20至30 psi

控制气体：干燥氮气；60 ±5 psi

负载锁排气气体：清洁干燥空气（CDA）；20至30 psi

自动气体控制：三个质量流量控制器（每个离子源一个）

MODEL 1063 WaferMill™ 离子束分层解决方案

从顶部开始对完整晶圆上的多个预选区域进行分层。全自动工艺支持半导体处理的所有阶段，适用于CD-SEM（关键尺寸扫描电子显微镜）样品制备。

工艺腔室

线性平台以5 µm精度在X和Y方向上移动晶圆

静电吸盘固定晶圆，通过消除晶圆弯曲提供均匀的研磨平面

晶圆存在传感器指示晶圆是否在工艺腔室内

基于KLARF文件的集成晶圆映射

离子源组件：三个离子源，间隔120°，位于水平面22.5°处。

可变能量操作（1.0至6.0 keV）

束流密度：10 mA/cm²

束斑尺寸：2 mm

点目标定位功能，可将晶圆驱动至任何点进行处理

转台/摇摆组件：

可摇摆±175°

角度偏差为±5°，步进范围0.1至2°

摇摆速度为1 rpm

自动终止

通过计时器

通过图像处理；当达到指定直径时停止研磨

用户界面

基于PC的界面：

可从EFEM和腔室侧访问

用于控制研磨过程

操作指示灯：堆栈灯

光学系统

用于束流过程监控和图像采集的光学系统：

视场：

15 mm（低倍率）

1.4 mm（高倍率）

电动变焦

电动聚焦

咨询电话：13522079385

EFEM电气要求

电气系统：200-240 VAC，50/60 Hz，单相（L1, L2, PE）

系统满载电流：20 A

恒定负载范围：5-14 A，取决于配置

过电压类别II

Jet电源分配单元配备10,000 AIC断路器；SCCR 10,000 A

室内真空：< 40 kPa（7 psi）

真空端口：8 mm快速连接

电源

208-240 VAC，50/60 Hz，5200瓦

保修

一年